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MBR200150CT
- Número de pieza:
- MBR200150CT
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 47489 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MBR200150CT.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 880mV @ 100A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 150V |
| Paquete del dispositivo: | Twin Tower |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Twin Tower |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| configuración de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción detallada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150V 100A Chassis Mount Twin Tower |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 3mA @ 150V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 100A |
| Email: | [email protected] |
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