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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTQ22N50P
IXTQ22N50P
IXTQ22N50P
Número de pieza:
IXTQ22N50P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
22830 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IXTQ22N50P.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:PolarHV™
RDS (Max) @Id, Vgs:270 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo):350W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2630pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción detallada:N-Channel 500V 22A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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