IXFX12N90Q
IXFX12N90Q
Número de pieza:
IXFX12N90Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
55996 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IXFX12N90Q.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PLUS247™-3
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:900 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:90nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:900V
Descripción detallada:N-Channel 900V 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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