IXFH14N100Q
Número de pieza:
IXFH14N100Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
41849 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IXFH14N100Q.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:750 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo):360W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:170nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V
Descripción detallada:N-Channel 1000V 14A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Tc)
Email:[email protected]

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