IXFE23N100
IXFE23N100
Número de pieza:
IXFE23N100
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
33234 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IXFE23N100.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227B
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:430 mOhm @ 11.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):500W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:250nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V
Descripción detallada:N-Channel 1000V 21A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

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