ISL6613BIRZ está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para ISL6613BIRZ, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para ISL6613BIRZ por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre ISL6613BIRZ con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
ISL6613BIRZ
- Número de pieza:
- ISL6613BIRZ
- Fabricante:
- Intersil
- Descripción:
- IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 38951 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- ISL6613BIRZ.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 7 V ~ 13.2 V |
| Paquete del dispositivo: | 10-DFN (3x3) |
| Serie: | - |
| Tiempo de subida / bajada (típico): | 26ns, 18ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 10-VFDFN Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| estilo de la llave: | 2 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tensión lógica - VIL, VIH: | - |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Non-Inverting |
| High Voltage - Máx (Bootstrap): | 36V |
| Tipo de Puerta: | N-Channel MOSFET |
| Configuración impulsada: | Half-Bridge |
| Descripción detallada: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 10-DFN (3x3) |
| Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero): | 1.25A, 2A |
| Corriente de carga: | Synchronous |
| Número de pieza base: | ISL6613B |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de ISL6613BIRZ
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
ISL6613CB-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Investigación |
 |
ISL6613CR-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN | Investigación |
 |
ISL6613BEIB-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC | Investigación |
|
ISL6613CBZ-TR5214 | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Investigación |
|
ISL6613CBZR5214 | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Investigación |
|
ISL6613BIBZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Investigación |
|
ISL6613BIR-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN | Investigación |
|
ISL6613BEIBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC | Investigación |
|
ISL6613CB | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Investigación |
|
ISL6613BIRZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN | Investigación |
|
ISL6613BIBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Investigación |
|
ISL6613CRZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN | Investigación |
|
ISL6613BIB-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Investigación |
|
ISL6613CBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Investigación |
|
ISL6613CR | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN | Investigación |
|
ISL6613BEIB | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC | Investigación |
|
ISL6613CBZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Investigación |
|
ISL6613BEIBZ | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC | Investigación |
|
ISL6613BIR | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN | Investigación |
|
ISL6613BIB | Intersil | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC | Investigación |
Latest Noticias
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU