IRFH8311TRPBF
IRFH8311TRPBF
Número de pieza:
IRFH8311TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
25404 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IRFH8311TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.35V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.1 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.6W (Ta), 96W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TQFN Exposed Pad
Otros nombres:IRFH8311TRPBFTR
SP001564136
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4960pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 32A (Ta), 169A (Tc) 3.6W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Ta), 169A (Tc)
Email:[email protected]

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