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IRF6655TR1
- Número de pieza:
- IRF6655TR1
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 23130 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- IRF6655TR1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.8V @ 25µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DIRECTFET™ SH |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 62 mOhm @ 5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DirectFET™ Isometric SH |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 11.7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción detallada: | N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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