IRF6643TRPBF
IRF6643TRPBF
Número de pieza:
IRF6643TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
37957 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IRF6643TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4.9V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET™ MZ
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:34.5 mOhm @ 7.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 89W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric MZ
Otros nombres:IRF6643TRPBF-ND
IRF6643TRPBFTR
SP001570070
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2340pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:55nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción detallada:N-Channel 150V 6.2A (Ta), 35A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.2A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

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