IRF620
IRF620
Número de pieza:
IRF620
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 6A TO-220
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
36789 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IRF620.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:PowerMESH™ II
RDS (Max) @Id, Vgs:800 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo):70W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:497-3135
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción detallada:N-Channel 200V 6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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