IPD90N10S4L06ATMA1
IPD90N10S4L06ATMA1
Número de pieza:
IPD90N10S4L06ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH TO252-3
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
28650 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IPD90N10S4L06ATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.1V @ 90µA
Vgs (Max):±16V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3-313
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:6.6 mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo):136W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPD90N10S4L06ATMA1CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:98nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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