IPB09N03LA G
IPB09N03LA G
Número de pieza:
IPB09N03LA G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
23349 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IPB09N03LA G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2V @ 20µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-3-2
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:8.9 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):63W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IPB09N03LA G-ND
IPB09N03LAG
IPB09N03LAGXT
SP000068859
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1642pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción detallada:N-Channel 25V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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