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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > IMB10AT110
IMB10AT110
IMB10AT110
Número de pieza:
IMB10AT110
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
24762 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.IMB10AT110.pdf2.IMB10AT110.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:SMT6
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potencia - Max:300mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-74, SOT-457
Otros nombres:IMB10AT110TR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Número de pieza base:MB10
Email:[email protected]

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