IJW120R070T1FKSA1 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para IJW120R070T1FKSA1, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para IJW120R070T1FKSA1 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre IJW120R070T1FKSA1 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
IJW120R070T1FKSA1
- Número de pieza:
- IJW120R070T1FKSA1
- Descripción:
- JFET N-CHAN 35A TO247-3
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 48181 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- IJW120R070T1FKSA1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO247-3 |
| Serie: | - |
| Resistencia - RDS (on): | 70 mOhms |
| Potencia - Max: | 238W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Otros nombres: | SP000871652 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 19.5V (VGS) |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1200V |
| Descripción detallada: | JFET N-Channel 35A 238W Through Hole PG-TO247-3 |
| Consumo de corriente (Id) - Max: | 35A |
| Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0): | 3.3µA @ 1200V |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IJW120R070T1FKSA1
Latest Noticias
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU