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IDW30G65C5FKSA1
- Número de pieza:
- IDW30G65C5FKSA1
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 59776 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- IDW30G65C5FKSA1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 30A (DC) |
| Tensión - Desglose: | PG-TO247-3 |
| Serie: | thinQ!™ |
| Estado RoHS: | Tube |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | 860pF @ 1V, 1MHz |
| Polarización: | TO-247-3 |
| Otros nombres: | IDW30G65C5 IDW30G65C5-ND SP000937052 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 0ns |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IDW30G65C5FKSA1 |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| configuración de diodo: | 1.1mA @ 650V |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.7V @ 30A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 650V |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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