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H11D1TM
- Número de pieza:
- H11D1TM
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 20686 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- H11D1TM.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Salida de voltaje - (Max): | 300V |
| Voltaje - Aislamiento: | 4170Vrms |
| Voltaje hacia delante (Vf) (típico): | 1.15V |
| VCE de saturación (Max): | 400mV |
| Tiempo de encendido / apagado (típico): | 5µs, 5µs |
| Paquete del dispositivo: | 6-DIP |
| Serie: | - |
| Tiempo de subida / bajada (típico): | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Tipo de salida: | Transistor with Base |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 100°C |
| número de canales: | 1 |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | DC |
| Descripción detallada: | Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP |
| Relación de transferencia de corriente (mín): | 20% @ 10mA |
| Relación de transferencia de corriente (máx): | - |
| Corriente - Salida / Canal: | 100mA |
| Corriente - Avance DC (Si) (Máx.): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
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