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GA01PNS80-220
- Número de pieza:
- GA01PNS80-220
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SILICON CARBIDE 8KV
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 36799 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- GA01PNS80-220.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 8000V |
| Paquete del dispositivo: | - |
| Serie: | - |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | Axial |
| Otros nombres: | 1242-1259 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | PIN - Single |
| Descripción detallada: | RF Diode PIN - Single 8000V 2A |
| Corriente - Max: | 2A |
| Capacitancia Vr, F: | 4pF @ 1000V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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