FR12J02 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para FR12J02, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para FR12J02 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre FR12J02 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
FR12J02
- Número de pieza:
- FR12J02
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 40612 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.FR12J02.pdf2.FR12J02.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 12A |
| Tensión - Desglose: | DO-4 |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres: | FR12J02GN |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 250ns |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FR12J02 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| configuración de diodo: | 25µA @ 100V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 800mV @ 12A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 600V |
| Capacitancia Vr, F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de FR12J02
Latest Noticias
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS
- La gran fábrica de chips se vio afectada por el terremoto: ¿TSMC dejó de funcionar con urgencia, exacerbando el suministro de GPU en escasez de suministro?
- La memoria flash nand continúa, MCU Destocking Bottom es correcto
- Debajo de la salida aérea de AI, los dos gigantes de chips principales son "no fuertes": destrozar el dinero para romper el juego, apostar en 2025 batallas de equipo