FG26X7R2J682KNT06 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para FG26X7R2J682KNT06, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para FG26X7R2J682KNT06 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre FG26X7R2J682KNT06 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
FG26X7R2J682KNT06
- Número de pieza:
- FG26X7R2J682KNT06
- Fabricante:
- TDK Corporation
- Descripción:
- CAP CER 6800PF 630V X7R RADIAL
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 33939 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.FG26X7R2J682KNT06.pdf2.FG26X7R2J682KNT06.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Clasificación de voltaje - CA: | - |
| Tensión - Calificación: | 630V |
| Tolerancia: | 6800pF |
| Espesor (máx): | X7R |
| Tamaño de la superficie del terreno Monte: | 0.197" (5.00mm) |
| Tamaño / Medidas: | 0.217" L x 0.138" W (5.50mm x 3.50mm) |
| Serie: | FG |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Corriente de ondulación - baja frecuencia: | General Purpose |
| calificaciones: | - |
| Polarización: | Radial |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FG26X7R2J682KNT06 |
| Estilo plomo: | - |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.236" (6.00mm) |
| Caracteristicas: | - |
| Tasa de fracaso: | Formed Leads - Kinked |
| Descripción ampliada: | 6800pF ±10% 630V Ceramic Capacitor X7R Radial |
| ESR (Resistencia serie equivalente): | ±10% |
| Descripción: | CAP CER 6800PF 630V X7R RADIAL |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de FG26X7R2J682KNT06
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga