ECH8308-TL-H
ECH8308-TL-H
Número de pieza:
ECH8308-TL-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
33131 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
ECH8308-TL-H.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):±10V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-ECH
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:12.5 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.6W (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:ECH8308-TL-HOSDKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción detallada:P-Channel 12V 10A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-ECH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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