DMTH43M8LPSQ-13
DMTH43M8LPSQ-13
Número de pieza:
DMTH43M8LPSQ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
51862 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
DMTH43M8LPSQ-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerDI5060-8
Serie:Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs:3.3 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.7W (Ta)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:DMTH43M8LPSQ-13DICT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3.367nF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:49nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción detallada:N-Channel 40V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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