DMTH10H015LK3-13
Número de pieza:
DMTH10H015LK3-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
Estado sin plomo:
Contiene plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
40071 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
DMTH10H015LK3-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252-4L
Serie:Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs:15 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1871pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 52.5A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount TO-252-4L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:52.5A (Ta)
Email:[email protected]

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