DMN2320UFB4-7B
DMN2320UFB4-7B
Número de pieza:
DMN2320UFB4-7B
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
48343 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
DMN2320UFB4-7B.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:X2-DFN1006-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:320 mOhm @ 500mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):520mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-XFDFN
Otros nombres:DMN2320UFB4-7BDITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:71pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.89nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:N-Channel 20V 1A (Ta) 520mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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