DMG5802LFX-7
DMG5802LFX-7
Número de pieza:
DMG5802LFX-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
32496 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
DMG5802LFX-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:W-DFN5020-6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Potencia - Max:980mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-VFDFN Exposed Pad
Otros nombres:DMG5802LFX-7DITR
DMG5802LFX7
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1066.4pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:31.3nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:24V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 6.5A 980mW Surface Mount W-DFN5020-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.5A
Email:[email protected]

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