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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > DMC6070LND-13
DMC6070LND-13
DMC6070LND-13
Número de pieza:
DMC6070LND-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
48940 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
DMC6070LND-13.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerDI3333-8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:85 mOhm @ 1.5A, 10V
Potencia - Max:1.4W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:731pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11.5nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2.4A 1.4W Surface Mount PowerDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.1A, 2.4A
Email:[email protected]

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