CY7C1411KV18-250BZXC está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para CY7C1411KV18-250BZXC, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para CY7C1411KV18-250BZXC por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre CY7C1411KV18-250BZXC con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
CY7C1411KV18-250BZXC
- Número de pieza:
- CY7C1411KV18-250BZXC
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor
- Descripción:
- IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 28461 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- CY7C1411KV18-250BZXC.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnología: | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Paquete del dispositivo: | 165-FBGA (13x15) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 165-LBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 36Mb (4M x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | SRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb (4M x 8) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15) |
| Frecuencia de reloj: | 250MHz |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de CY7C1411KV18-250BZXC
Latest Noticias
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS