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CTLDM3590 TR
- Número de pieza:
- CTLDM3590 TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 51522 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- CTLDM3590 TR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | 8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TLM3D6D8 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 125mW (Ta) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 3-XFDFN |
| Otros nombres: | CTLDM3590 CT CTLDM3590 CT-ND CTLDM3590CT |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 9pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.46nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | N-Channel 20V 160mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount TLM3D6D8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 160mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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