CIL21J4R7KNE está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para CIL21J4R7KNE, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para CIL21J4R7KNE por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre CIL21J4R7KNE con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
CIL21J4R7KNE
- Número de pieza:
- CIL21J4R7KNE
- Fabricante:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Descripción:
- FIXED IND 4.7UH 30MA 900MOHM SMD
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 54470 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- CIL21J4R7KNE.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tipo: | - |
| Tolerancia: | ±10% |
| Paquete del dispositivo: | 0805 (2012 Metric) |
| Tamaño / Medidas: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| blindaje: | Shielded |
| Serie: | CIL21 |
| calificaciones: | - |
| Q según frecuencia: | 45 @ 10MHz |
| Paquete / Cubierta: | 0805 (2012 Metric) |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Material - Núcleo: | Ferrite |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 26 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia de Inductancia - Prueba: | 10MHz |
| Inductancia: | 4.7µH |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.057" (1.45mm) |
| Frequency - Self Resonant: | 35MHz |
| Caracteristicas: | - |
| Descripción detallada: | 4.7µH Shielded Inductor 30mA 900 mOhm Max 0805 (2012 Metric) |
| Resistencia de CC (DCR): | 900 mOhm Max |
| Valoración actual: | 30mA |
| Corriente - Saturación: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de CIL21J4R7KNE
Latest Noticias
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS
- La gran fábrica de chips se vio afectada por el terremoto: ¿TSMC dejó de funcionar con urgencia, exacerbando el suministro de GPU en escasez de suministro?
- La memoria flash nand continúa, MCU Destocking Bottom es correcto
- Debajo de la salida aérea de AI, los dos gigantes de chips principales son "no fuertes": destrozar el dinero para romper el juego, apostar en 2025 batallas de equipo