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C4D05120E-TR
C4D05120E-TR
Número de pieza:
C4D05120E-TR
Fabricante:
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 19A TO252-2
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
24610 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
C4D05120E-TR.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
Tensión - inversa de pico (máxima):Silicon Carbide Schottky
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:19A
Tensión - Desglose:TO-252-2
Serie:Z-Rec®
Estado RoHS:Tape & Reel (TR)
Tiempo de recuperación inversa (trr):No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistencia @ Si, F:390pF @ 0V, 1MHz
Polarización:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento - Junction:0ns
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:5 Weeks
Número de pieza del fabricante:C4D05120E-TR
Descripción ampliada:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 19A Surface Mount TO-252-2
configuración de diodo:150µA @ 1200V
Descripción:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 19A TO252-2
Corriente - Fuga inversa a Vr:1.8V @ 5A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):1200V (1.2kV)
Capacitancia Vr, F:-55°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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