C3225X7R1H105K/1.6 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para C3225X7R1H105K/1.6, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para C3225X7R1H105K/1.6 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre C3225X7R1H105K/1.6 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
C3225X7R1H105K/1.6
- Número de pieza:
- C3225X7R1H105K/1.6
- Fabricante:
- TDK Corporation
- Descripción:
- CAP CER 1UF 50V X7R 1210
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 23714 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.C3225X7R1H105K/1.6.pdf2.C3225X7R1H105K/1.6.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Clasificación de voltaje - CA: | - |
| Tensión - Calificación: | 50V |
| Tolerancia: | 1µF |
| Espesor (máx): | X7R |
| Tamaño de la superficie del terreno Monte: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Serie: | C |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Corriente de ondulación - baja frecuencia: | General Purpose |
| calificaciones: | - |
| Polarización: | 1210 (3225 Metric) |
| Otros nombres: | 445-3931-2 C3225X7R1H105K16 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount, MLCC |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | C3225X7R1H105K/1.6 |
| Estilo plomo: | 0.071" (1.80mm) |
| Altura - Asiento (Máx): | - |
| Caracteristicas: | - |
| Tasa de fracaso: | - |
| Descripción ampliada: | 1µF ±10% 50V Ceramic Capacitor X7R 1210 (3225 Metric) |
| ESR (Resistencia serie equivalente): | ±10% |
| Descripción: | CAP CER 1UF 50V X7R 1210 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de C3225X7R1H105K/1.6
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga