AS4C512M32MD3-15BCNTR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para AS4C512M32MD3-15BCNTR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para AS4C512M32MD3-15BCNTR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre AS4C512M32MD3-15BCNTR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
AS4C512M32MD3-15BCNTR
- Número de pieza:
- AS4C512M32MD3-15BCNTR
- Fabricante:
- Alliance Memory, Inc.
- Descripción:
- IC DRAM 16G PARALLEL 178FBGA
- Cantidad de stock:
- 57994 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- AS4C512M32MD3-15BCNTR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 15ns |
| Suministro de voltaje: | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Tecnología: | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Paquete del dispositivo: | 178-FBGA (11.5x11) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 178-VFBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 16Gb (512M x 32) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Descripción detallada: | SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (512M x 32) Parallel 667MHz 178-FBGA (11.5x11) |
| Frecuencia de reloj: | 667MHz |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de AS4C512M32MD3-15BCNTR
Latest Noticias
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo