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AS4C32M16MD1-5BINTR
- Número de pieza:
- AS4C32M16MD1-5BINTR
- Fabricante:
- Alliance Memory, Inc.
- Descripción:
- IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 30376 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- AS4C32M16MD1-5BINTR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 15ns |
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnología: | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Paquete del dispositivo: | 60-FBGA (8x9) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 60-TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 512Mb (32M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (8x9) |
| Frecuencia de reloj: | 200MHz |
| Tiempo de acceso: | 700ps |
| Email: | [email protected] |
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