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APTM10HM19FT3G
- Número de pieza:
- APTM10HM19FT3G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 32348 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.APTM10HM19FT3G.pdf2.APTM10HM19FT3G.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo: | SP3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 21 mOhm @ 35A, 10V |
| Potencia - Max: | 208W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SP3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5100pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| Tipo FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Característica de FET: | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A |
| Email: | [email protected] |
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