APT20M38BVRG
APT20M38BVRG
Número de pieza:
APT20M38BVRG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
31551 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.APT20M38BVRG.pdf2.APT20M38BVRG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247 [B]
Serie:POWER MOS V®
RDS (Max) @Id, Vgs:38 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):370W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6120pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:225nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción detallada:N-Channel 200V 67A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:67A (Tc)
Email:[email protected]

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