AOTF18N65
AOTF18N65
Número de pieza:
AOTF18N65
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
44848 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.AOTF18N65.pdf2.AOTF18N65.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3F
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:390 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo):50W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:785-1431-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3785pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción detallada:N-Channel 650V 18A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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