70V639S12BFI está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 70V639S12BFI, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 70V639S12BFI por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 70V639S12BFI con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
70V639S12BFI
- Número de pieza:
- 70V639S12BFI
- Fabricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descripción:
- IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 27709 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 70V639S12BFI.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 12ns |
| Suministro de voltaje: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Tecnología: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Paquete del dispositivo: | 208-CABGA (15x15) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 208-LFBGA |
| Otros nombres: | IDT70V639S12BFI IDT70V639S12BFI-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 2.25Mb (128K x 18) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | SRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2.25Mb (128K x 18) Parallel 12ns 208-CABGA (15x15) |
| Número de pieza base: | IDT70V639 |
| Tiempo de acceso: | 12ns |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 70V639S12BFI
Latest Noticias
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS