2735GN-100M está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 2735GN-100M, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 2735GN-100M por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 2735GN-100M con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
2735GN-100M
- Número de pieza:
- 2735GN-100M
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 25619 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 2735GN-100M.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Calificación: | 150V |
| Salida de voltaje -: | 110W |
| Tensión - Desglose: | 55QP |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Polarización: | 55QP |
| Figura de ruido: | 60V |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2735GN-100M |
| Frecuencia: | 2.7GHz ~ 3.5GHz |
| Tipo FET: | 11dB ~ 11.4dB |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 250mA 2.7GHz ~ 3.5GHz 11dB ~ 11.4dB 110W 55QP |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 250mA |
| Descripción: | FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP |
| Valoración actual: | 2.5mA |
| Corriente - Prueba: | - |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 2735GN-100M
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos