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1N5830R
- Número de pieza:
- 1N5830R
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 33636 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.1N5830R.pdf2.1N5830R.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 580mV @ 25A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 25V |
| Paquete del dispositivo: | DO-4 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres: | 1N5830RGN |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Schottky, Reverse Polarity |
| Descripción detallada: | Diode Schottky, Reverse Polarity 25V 25A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 2mA @ 20V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 25A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Número de pieza base: | 1N5830R |
| Email: | [email protected] |
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