1N5407TA está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 1N5407TA, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 1N5407TA por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 1N5407TA con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
1N5407TA
- Número de pieza:
- 1N5407TA
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 42584 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1N5407TA.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.2V @ 3A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 800V |
| Paquete del dispositivo: | DO-201AD |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-201AD, Axial |
| Otros nombres: | 1N5407TASMC |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 800V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 3A |
| Capacitancia Vr, F: | 30pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 1N5407TA
Latest Noticias
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo