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1N4448,143
- Número de pieza:
- 1N4448,143
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 49773 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1N4448,143.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 200mA (DC) |
| Tensión - Desglose: | DO-35 |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Cut Tape (CT) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Resistencia @ Si, F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Polarización: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Otros nombres: | 568-11584-1 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 4ns |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 1N4448,143 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 100V 200mA (DC) Through Hole DO-35 |
| configuración de diodo: | 25nA @ 20V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1V @ 100mA |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 100V |
| Capacitancia Vr, F: | 200°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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