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1N3767
- Número de pieza:
- 1N3767
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 900V 35A DO5
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 33078 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.1N3767.pdf2.1N3767.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 35A |
| Tensión - Desglose: | DO-5 |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Otros nombres: | 1N3767GN |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 1N3767 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 900V 35A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| configuración de diodo: | 10µA @ 50V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 900V 35A DO5 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.2V @ 35A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 900V |
| Capacitancia Vr, F: | -65°C ~ 190°C |
| Email: | [email protected] |
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