Tarjeta de línea

Micron Technology

- Micron es uno de los principales proveedores mundiales de soluciones de semiconductores avanzados. Los componentes DRAM y Flash de Micron se usan en los productos de computación, redes y comunicaciones más avanzados de la actualidad, incluidos computadoras, estaciones de trabajo, servidores, teléfonos celulares, dispositivos inalámbricos, cámaras digitales y sistemas de juegos.

Número de pieza	Descripción	Ver
MT44K16M36RB-107E IT:B TR	IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA	Investigación
MT46V64M8BN-6:F	IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA	Investigación
MT29F128G08CFAAAWP-Z:A TR	IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP I	Investigación
MT47H256M4CF-25:H	IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA	Investigación
MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D TR	LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP	Investigación
MT42L256M64D4LM-25 WT:A TR	IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA	Investigación
MTFC4GMVEA-WT TR	IC FLASH 32G MMC 153WFBGA	Investigación
MT46V128M4P-5B:D TR	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP	Investigación
MT29F128G08CBECBH6-12:C	IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ	Investigación
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	Investigación
MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR	IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA	Investigación
M29W640GB6AZA6E	IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA	Investigación
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A TR	IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ	Investigación
M29W640GL70ZA6E	IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA	Investigación
M50FW040N5TG TR	IC FLASH 4M PARALLEL 40TSOP	Investigación
MT29F4G08AACWC:C TR	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP	Investigación
MT40A4G4NRE-083E:B	IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ	Investigación
MTFC64GAJAEDQ-AIT	IC FLASH 512G MMC	Investigación
MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I	Investigación
MT53B4DAPV-DC	SPECIAL/CUSTOM LPDDR4	Investigación
MT46V16M16CY-5B AIT:M TR	IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA	Investigación
MT46V128M4P-75:D TR	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP	Investigación
MT41K64M16TW-107 AUT:J	IC DRAM 1G PARALLEL 933MHZ	Investigación
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR	IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA	Investigación
MTFC8GAMALBH-AAT TR	IC FLASH 64G MMC	Investigación
MT48LC16M8A2FB-7E:G	IC DRAM 128M PARALLEL 60FBGA	Investigación
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	Investigación
N25Q064A13EF640E	IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN	Investigación
MT25QU512ABB8E12-0SIT TR	IC FLASH 512M SPI 133MHZ 12TBGA	Investigación
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR	IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA	Investigación
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B	IC FLASH 1.5T PARALLEL 267MHZ	Investigación
MT41J512M8THD-15E:D	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	Investigación
MT46H64M32LFCX-6 WT:B TR	IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA	Investigación
MT25QU512ABA8E12-0SIT TR	IC FLASH 512M SPI 24TPBGA	Investigación
MT47H128M4CF-187E:G	IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA	Investigación
TE28F640P30T85A	IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP	Investigación
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E	IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA	Investigación
N2M400HDB321A3CE	IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA	Investigación
MT28F128J3FS-12 ET TR	IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA	Investigación
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR	IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA	Investigación
M29F200BT70M6E	IC FLASH 2M PARALLEL 44SO	Investigación
MT46H64M32LFCX-5 AIT:B	IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA	Investigación
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G	IC FLASH 2G SPI SOIC	Investigación
MT53D4DDFL-DC	LPDDR4 FBGA QDP	Investigación
PC28F256P33B2F TR	IC FLASH 256M PARALLEL 52MHZ	Investigación
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR	IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA	Investigación
MT48LC8M32LFB5-10	IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA	Investigación
MT48LC32M8A2P-6A:G TR	IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP	Investigación
MT42L256M32D4KP-3 IT:A	IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA	Investigación
TE28F640P30B85A	IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP	Investigación

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