WIN247NHEI-300A1 er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for WIN247NHEI-300A1, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for WIN247NHEI-300A1 via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb WIN247NHEI-300A1 med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
WIN247NHEI-300A1
- Varenummer:
- WIN247NHEI-300A1
- Fabrikant:
- Microsemi
- Beskrivelse:
- WP2 247 300 MHZ,LF BALLS,PBF BUM
- Blyfri status:
- RoHS Overensstemmelse
- Lager Antal:
- 39637 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- WIN247NHEI-300A1.pdf
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Serie: | * |
| RoHS Status: | RoHS Compliant |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til WIN247NHEI-300A1
Laast News
- HBM -produktionskapacitet er udelukket, DRAM -hukommelse kan være mangelvare i andet halvår
- Wallstifter slutter, HBM eller får dram til at stige igen
- AI mobiltelefon og pc -udvidelse efterspørgsel, global halvlederfremstilling af industrien forbedring
- Forstå behovene hos ADAS og Cabin Monitoring Systems for Network Security Image Sensors
- Det ryktes, at Samsung og SK Hynix stoppede DDR3, og promoveringstilbudet steg med 20 %
- Melexis frigav MLX90427: linjekontrol til nyt valg, sikker, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport annoncerede, og priserne på kobberpriserne overføres til IC -industrien
- Moels Micro Electronics har oprettet et nyt kontorer i Taiwan, Kina for at udvide forretningsområdet
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Den første kvartals økonomiske rapport fra SEF Semiconductor (ST) falder, og efterspørgslen efter biler er aftaget
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Lokal moden chipvolumen, samsung nand flash hukommelsesproduktionskapacitet nær belastning