SSM6N15AFE,LM er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for SSM6N15AFE,LM, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for SSM6N15AFE,LM via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb SSM6N15AFE,LM med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
SSM6N15AFE,LM
- Varenummer:
- SSM6N15AFE,LM
- Fabrikant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beskrivelse:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
- Blyfri status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antal:
- 58148 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 100µA |
| Leverandør Device Package: | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
| Strøm - Max: | 150mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfælde: | SOT-563, SOT-666 |
| Andre navne: | SSM6N15AFE,LM(A SSM6N15AFE,LM(B SSM6N15AFE,LM(T SSM6N15AFE,LMTR SSM6N15AFELM SSM6N15AFELMTR SSM6N15FE (TE85L,F) SSM6N15FE(TE85L,F) SSM6N15FE(TE85LF)TR SSM6N15FE(TE85LF)TR-ND SSM6N15FETE85LF |
| Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Blyfri Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 7.8pF @ 3V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET Type: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-funktion: | Logic Level Gate |
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | 30V |
| Detaljeret beskrivelse: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 100mA |
| Basenummer: | SSM6N15 |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til SSM6N15AFE,LM
Laast News
- Qorvo lancerede branchens enestående høje -gain 5G Mmimo Preliminaries
- Simuleringscyklusbeholdning Bottoming Out, AI driver Flash Memory -efterspørgsel fortsætter
- Microns plan om at bygge en fabrik, NAND -flashhukommelse til høje priser eller vedligeholdelse
- ADI -ydeevne er reduceret, kobberfoliunderlag er steget, opbevaring af original fabriksstigning Produktionskonservativ
- Bølgen af intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med at frigive MX Lidar
- HBM -produktionskapacitet er udelukket, DRAM -hukommelse kan være mangelvare i andet halvår
- Wallstifter slutter, HBM eller får dram til at stige igen
- AI mobiltelefon og pc -udvidelse efterspørgsel, global halvlederfremstilling af industrien forbedring
- Forstå behovene hos ADAS og Cabin Monitoring Systems for Network Security Image Sensors
- Det ryktes, at Samsung og SK Hynix stoppede DDR3, og promoveringstilbudet steg med 20 %
- Melexis frigav MLX90427: linjekontrol til nyt valg, sikker, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport annoncerede, og priserne på kobberpriserne overføres til IC -industrien