SPU04N60S5BKMA1 er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for SPU04N60S5BKMA1, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for SPU04N60S5BKMA1 via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb SPU04N60S5BKMA1 med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
SPU04N60S5BKMA1
- Varenummer:
- SPU04N60S5BKMA1
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251
- Blyfri status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antal:
- 29628 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- SPU04N60S5BKMA1.pdf
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Device Package: | PG-TO251-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Power Dissipation (Max): | 50W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Pakke / tilfælde: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andre navne: | SP000012424 SPU04N60S5 SPU04N60S5-ND SPU04N60S5IN SPU04N60S5IN-ND SPU04N60S5X SPU04N60S5XK |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Blyfri Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.9nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funktion: | - |
| Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On): | 10V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
| Detaljeret beskrivelse: | N-Channel 600V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til SPU04N60S5BKMA1
Laast News
- Qorvo lancerede branchens enestående høje -gain 5G Mmimo Preliminaries
- Simuleringscyklusbeholdning Bottoming Out, AI driver Flash Memory -efterspørgsel fortsætter
- Microns plan om at bygge en fabrik, NAND -flashhukommelse til høje priser eller vedligeholdelse
- ADI -ydeevne er reduceret, kobberfoliunderlag er steget, opbevaring af original fabriksstigning Produktionskonservativ
- Bølgen af intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med at frigive MX Lidar
- HBM -produktionskapacitet er udelukket, DRAM -hukommelse kan være mangelvare i andet halvår
- Wallstifter slutter, HBM eller får dram til at stige igen
- AI mobiltelefon og pc -udvidelse efterspørgsel, global halvlederfremstilling af industrien forbedring
- Forstå behovene hos ADAS og Cabin Monitoring Systems for Network Security Image Sensors
- Det ryktes, at Samsung og SK Hynix stoppede DDR3, og promoveringstilbudet steg med 20 %
- Melexis frigav MLX90427: linjekontrol til nyt valg, sikker, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport annoncerede, og priserne på kobberpriserne overføres til IC -industrien