SI5509DC-T1-E3 er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for SI5509DC-T1-E3, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for SI5509DC-T1-E3 via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb SI5509DC-T1-E3 med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
SI5509DC-T1-E3
- Varenummer:
- SI5509DC-T1-E3
- Fabrikant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beskrivelse:
- MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
- Blyfri status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antal:
- 53004 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- SI5509DC-T1-E3.pdf
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Leverandør Device Package: | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 52 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Strøm - Max: | 4.5W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfælde: | 8-SMD, Flat Lead |
| Andre navne: | SI5509DC-T1-E3TR SI5509DCT1E3 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Blyfri Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 455pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.6nC @ 5V |
| FET Type: | N and P-Channel |
| FET-funktion: | Logic Level Gate |
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
| Detaljeret beskrivelse: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 6.1A, 4.8A |
| Basenummer: | SI5509 |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til SI5509DC-T1-E3
Laast News
- Simuleringscyklusbeholdning Bottoming Out, AI driver Flash Memory -efterspørgsel fortsætter
- Microns plan om at bygge en fabrik, NAND -flashhukommelse til høje priser eller vedligeholdelse
- ADI -ydeevne er reduceret, kobberfoliunderlag er steget, opbevaring af original fabriksstigning Produktionskonservativ
- Bølgen af intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med at frigive MX Lidar
- HBM -produktionskapacitet er udelukket, DRAM -hukommelse kan være mangelvare i andet halvår
- Wallstifter slutter, HBM eller får dram til at stige igen
- AI mobiltelefon og pc -udvidelse efterspørgsel, global halvlederfremstilling af industrien forbedring
- Forstå behovene hos ADAS og Cabin Monitoring Systems for Network Security Image Sensors
- Det ryktes, at Samsung og SK Hynix stoppede DDR3, og promoveringstilbudet steg med 20 %
- Melexis frigav MLX90427: linjekontrol til nyt valg, sikker, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport annoncerede, og priserne på kobberpriserne overføres til IC -industrien
- Moels Micro Electronics har oprettet et nyt kontorer i Taiwan, Kina for at udvide forretningsområdet