PMN23UN,165 er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for PMN23UN,165, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for PMN23UN,165 via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb PMN23UN,165 med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
PMN23UN,165
- Varenummer:
- PMN23UN,165
- Fabrikant:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
- Blyfri status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antal:
- 34770 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- PMN23UN,165.pdf
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 700mV @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Device Package: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max): | 1.75W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfælde: | SC-74, SOT-457 |
| Andre navne: | 934058058165 PMN23UN /T2 PMN23UN /T2-ND |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Blyfri Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 740pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.6nC @ 4.5V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funktion: | - |
| Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
| Detaljeret beskrivelse: | N-Channel 20V 6.3A (Tc) 1.75W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 6.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til PMN23UN,165
Laast News
- ARM optrådte i Computex 2024: Det forventes, at mere end 100 milliarder armenheder kan bruges til AI i slutningen af 2025
- Qorvo lancerede branchens enestående høje -gain 5G Mmimo Preliminaries
- Simuleringscyklusbeholdning Bottoming Out, AI driver Flash Memory -efterspørgsel fortsætter
- Microns plan om at bygge en fabrik, NAND -flashhukommelse til høje priser eller vedligeholdelse
- ADI -ydeevne er reduceret, kobberfoliunderlag er steget, opbevaring af original fabriksstigning Produktionskonservativ
- Bølgen af intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med at frigive MX Lidar
- HBM -produktionskapacitet er udelukket, DRAM -hukommelse kan være mangelvare i andet halvår
- Wallstifter slutter, HBM eller får dram til at stige igen
- AI mobiltelefon og pc -udvidelse efterspørgsel, global halvlederfremstilling af industrien forbedring
- Forstå behovene hos ADAS og Cabin Monitoring Systems for Network Security Image Sensors
- Det ryktes, at Samsung og SK Hynix stoppede DDR3, og promoveringstilbudet steg med 20 %
- Melexis frigav MLX90427: linjekontrol til nyt valg, sikker, effektiv og økonomisk