MSDM75-16 er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for MSDM75-16, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for MSDM75-16 via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb MSDM75-16 med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
MSDM75-16
- Varenummer:
- MSDM75-16
- Fabrikant:
- Microsemi
- Beskrivelse:
- MOD BRIDGE 3PH 1600V 75A M2-1
- Blyfri status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antal:
- 55946 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- MSDM75-16.pdf
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Spænding - Peak Reverse (Max): | 1.6kV |
| Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis: | 1.6V @ 150A |
| Teknologi: | Standard |
| Leverandør Device Package: | M2-1 |
| Serie: | - |
| Emballage: | Bulk |
| Pakke / tilfælde: | Module |
| Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Chassis Mount |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Blyfri Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodetype: | Three Phase |
| Detaljeret beskrivelse: | Bridge Rectifier Three Phase Standard 1.6kV Chassis Mount M2-1 |
| Nuværende - Reverse Lækage @ Vr: | 500µA @ 1600V |
| Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io): | 75A |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til MSDM75-16
| Billede | Varenummer | producenter | Beskrivelse | Udsigt |
|---|---|---|---|---|
 |
MSDT75-16 | Microsemi | PWR MOD THYRISTOR 1600V 75V SM4 | Forespørgsel |
|
MSDM75-12 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1200V 75A M2-1 | Forespørgsel |
|
MSDM200-08 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 800V 200A M3-1 | Forespørgsel |
|
MSDM150-18 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1800V 150A M3-1 | Forespørgsel |
|
MSDM150-12 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1200V 150A M3-1 | Forespørgsel |
 |
MSDM200-16 | Microsemi | POWER MOD RECT BRIDGE 3PH M3-1 | Forespørgsel |
|
MSDM75-08 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 800V 75A M2-1 | Forespørgsel |
|
MSDM150-16 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1600V 150A M3-1 | Forespørgsel |
|
MSDM75-18 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1800V 75A M2-1 | Forespørgsel |
|
MSDM200-12 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1200V 200A M3-1 | Forespørgsel |
|
MSDM50-18 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M2-1 | Forespørgsel |
 |
MSDT150-16 | Microsemi | POWER MOD BRIDGE THY 3PH M5 | Forespørgsel |
|
MSDM150-08 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 800V 150A M3-1 | Forespørgsel |
|
MSDT200-16 | Microsemi | PWR MOD THYRISTOR 1600V 200V SM4 | Forespørgsel |
|
MSDM200-18 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1800V 200A M3-1 | Forespørgsel |
|
MSDM50-12 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1200V 50A M2-1 | Forespørgsel |
|
MSDM50-08 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 800V 50A M2-1 | Forespørgsel |
 |
MSDT100-16 | Microsemi | PWR MOD THYRISTOR 1600V 100V SM4 | Forespørgsel |
|
MSDM50-16 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1600V 50A M2-1 | Forespørgsel |
|
MSDM100-18 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1800V 100A M2-1 | Forespørgsel |
Laast News
- Moels Micro Electronics har oprettet et nyt kontorer i Taiwan, Kina for at udvide forretningsområdet
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Den første kvartals økonomiske rapport fra SEF Semiconductor (ST) falder, og efterspørgslen efter biler er aftaget
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Lokal moden chipvolumen, samsung nand flash hukommelsesproduktionskapacitet nær belastning
- Vishay lancerer miniled emballage høj lysstyrke lille blå og ren grøn led
- Ansonmei lancerede en induktiv positionssensor for markedet for industriel og transport
- Ruisa starter den gamle fabrik for at øge effektenheden, jordskælvet påvirker dram -output mild
- Microchip muliggør produktionskapaciteten for TSMC og øger prisstigninger
- Ruisa lancerede den nye RA0 -serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Melexis lancerer en fuld -integreret induktorafbryderchip
- X-FAB introducerer billedføler tilbage belysningsteknologi for at forbedre CMOS-sensorens ydeevne