JANTX2N6383 er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for JANTX2N6383, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for JANTX2N6383 via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb JANTX2N6383 med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
JANTX2N6383
- Varenummer:
- JANTX2N6383
- Fabrikant:
- Microsemi
- Beskrivelse:
- NPN TRANSISTOR
- Blyfri status:
- RoHS ikke-kompatibel
- Lager Antal:
- 45773 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- JANTX2N6383.pdf
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Serie: | * |
| RoHS Status: | RoHS non-compliant |
| Fabrikantens standard ledetid: | 20 Weeks |
| Detaljeret beskrivelse: | Bipolar (BJT) Transistor |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til JANTX2N6383
Laast News
- Moels Micro Electronics har oprettet et nyt kontorer i Taiwan, Kina for at udvide forretningsområdet
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Den første kvartals økonomiske rapport fra SEF Semiconductor (ST) falder, og efterspørgslen efter biler er aftaget
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Lokal moden chipvolumen, samsung nand flash hukommelsesproduktionskapacitet nær belastning
- Vishay lancerer miniled emballage høj lysstyrke lille blå og ren grøn led
- Ansonmei lancerede en induktiv positionssensor for markedet for industriel og transport
- Ruisa starter den gamle fabrik for at øge effektenheden, jordskælvet påvirker dram -output mild
- Microchip muliggør produktionskapaciteten for TSMC og øger prisstigninger
- Ruisa lancerede den nye RA0 -serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Melexis lancerer en fuld -integreret induktorafbryderchip
- X-FAB introducerer billedføler tilbage belysningsteknologi for at forbedre CMOS-sensorens ydeevne