FDP085N10A-F102 er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for FDP085N10A-F102, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for FDP085N10A-F102 via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb FDP085N10A-F102 med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
FDP085N10A-F102
- Varenummer:
- FDP085N10A-F102
- Fabrikant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3
- Blyfri status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antal:
- 22802 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- FDP085N10A-F102.pdf
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Device Package: | TO-220-3 |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.5 mOhm @ 96A, 10V |
| Power Dissipation (Max): | 188W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
| Andre navne: | FDP085N10A_F102 FDP085N10A_F102-ND |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikantens standard ledetid: | 39 Weeks |
| Blyfri Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 2695pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funktion: | - |
| Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On): | 10V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | 100V |
| Detaljeret beskrivelse: | N-Channel 100V 96A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 96A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til FDP085N10A-F102
Laast News
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport annoncerede, og priserne på kobberpriserne overføres til IC -industrien
- Moels Micro Electronics har oprettet et nyt kontorer i Taiwan, Kina for at udvide forretningsområdet
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Den første kvartals økonomiske rapport fra SEF Semiconductor (ST) falder, og efterspørgslen efter biler er aftaget
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Lokal moden chipvolumen, samsung nand flash hukommelsesproduktionskapacitet nær belastning
- Vishay lancerer miniled emballage høj lysstyrke lille blå og ren grøn led
- Ansonmei lancerede en induktiv positionssensor for markedet for industriel og transport
- Ruisa starter den gamle fabrik for at øge effektenheden, jordskælvet påvirker dram -output mild
- Microchip muliggør produktionskapaciteten for TSMC og øger prisstigninger
- Ruisa lancerede den nye RA0 -serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Melexis lancerer en fuld -integreret induktorafbryderchip